文献
J-GLOBAL ID:200902226053699294
整理番号:06A0682546
ナノ秒355nmによるシリコンの高出力単一ショットレーザアブレーション
High power single-shot laser ablation of silicon with nanosecond 355nm
著者 (1件):
KARNAKIS D.m.
(Oxford Lasers Ltd., Unit 8, Moorbrook Park, Didcot OX11 7HP, GBR)
資料名:
Applied Surface Science
(Applied Surface Science)
巻:
252
号:
22
ページ:
7823-7825
発行年:
2006年09月15日
JST資料番号:
B0707B
ISSN:
0169-4332
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)