文献
J-GLOBAL ID:200902226056636544
整理番号:06A0896618
NbB2(0001)上のGaNとAlNとのエピタクシーにおけるAlによる界面安定化
Interface stabilization by Al in GaN and AlN epitaxies on NbB2(0001)
著者 (3件):
AIZAWA Takashi
(Advanced Nano Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
OTANI Shigeki
(Advanced Nano Materials Lab., National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
,
HISHITA Shunichi
(Sensor Materials Center, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki 305-0044, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
18
ページ:
181913-181913-3
発行年:
2006年10月30日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)