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文献
J-GLOBAL ID：200902226092453200
整理番号：03A0395865
Sc2O3パッシベーションAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高3端子降伏電圧と出力電力
High three-terminal breakdown voltage and output power of Sc2O3 passivated AlGaN/GaN high electron mobility transistors.
LUO B
(Univ. Florida, FL, USA)
,
MEHANDRU R
(Univ. Florida, FL, USA)
,
GILA B P
(Univ. Florida, FL, USA)
,
GOTTHOLD D
(EMCORE, NJ, USA)
,
BIRKHAHN R
(EMCORE, NJ, USA)
,
PERES B
(EMCORE, NJ, USA)
,
FITCH R C
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
VIA D
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
,
CRESPO A
(Air Force Res. Lab., OH, USA)
資料名：
Electronics Letters
(Electronics Letters)
巻： 39 号： 10 ページ： 809-810 発行年： 2003年05月15日
JST資料番号： A0887A ISSN： 0013-5194 CODEN： ELLEAK 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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