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文献
J-GLOBAL ID：200902226215962326
整理番号：06A0292881
SiC結晶の研磨誘起表面損傷の深紫外Raman顕微分光法によるキャラクタリゼーション
Deep Ultraviolet Raman Microspectroscopic Characterization of Polishing-Induced Surface Damage in SiC Crystals
NAKASHIMA S.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KATO T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
NISHIZAWA S.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
MITANI T.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
OKUMURA H.
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
YAMAMOTO T.
(Sumitomo Chemical Co. Ltd., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 153 号： 4 ページ： G319-G323 発行年： 2006年
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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