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文献
J-GLOBAL ID：200902226447456567
整理番号：09A0644250
厚いバッファ層上のGaN品質の改善による4inシリコン上のAlGaN/GaN HEMTの降伏電圧向上
Breakdown Enhancement of AlGaN/GaN HEMTs on 4-in Silicon by Improving the GaN Quality on Thick Buffer Layers
SELVARAJ Susai Lawrence
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SUZUE Takaaki
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 30 号： 6 ページ： 587-589 発行年： 2009年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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