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文献
J-GLOBAL ID：200902226451174860
整理番号：07A0502941
6H-SiC(0001)表面上のエピタキシャル窒酸化けい素層
Epitaxial Silicon Oxynitride Layer on a 6H-SiC(0001) Surface
SHIRASAWA Tetsuroh
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
HAYASHI Kenjiro
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
MIZUNO Seigi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
TANAKA Satoru
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
NAKATSUJI Kan
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
KOMORI Fumio
(Univ. Tokyo, Chiba, JPN)
,
TOCHIHARA Hiroshi
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻： 98 号： 13 ページ： 136105.1-136105.4 発行年： 2007年03月30日
JST資料番号： H0070A ISSN： 0031-9007 CODEN： PRLTAO 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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