文献
J-GLOBAL ID:200902226500477873
整理番号:06A0996856
高誘電率ゲート絶縁体を有する高性能ペンタセン薄膜トランジスタ
High-performance pentacene thin-film transistors with high dielectric constant gate insulators
著者 (2件):
KITAMURA M.
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan and Inst. ...)
,
ARAKAWA Y.
(Res. Center for Advanced Sci. and Technol., Univ. of Tokyo, 4-6-1 Komaba, Meguro-ku, Tokyo 153-8904, Japan and Inst. ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
22
ページ:
223525-223525-3
発行年:
2006年11月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)