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文献
J-GLOBAL ID：200902226509880182
整理番号：07A0498623
低圧で高濃度のオゾンガス中におけるUV光照射による300°C以下でのシリコンの高速酸化
Rapid Oxidation of Silicon Using UV-Light Irradiation in Low-Pressure, Highly Concentrated Ozone Gas below 300 °C
NISHIGUCHI Tetsuya
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NISHIGUCHI Tetsuya
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SAITOH Shigeru
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KAMEDA Naoto
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KAMEDA Naoto
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
MORIKAWA Yoshiki
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
KEKURA Mitsuru
(Meidensha Corp., Shizuoka, JPN)
,
NONAKA Hidehiko
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
ICHIMURA Shingo
(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 5A ページ： 2835-2839 発行年： 2007年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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