文献
J-GLOBAL ID:200902226576621450
整理番号:08A0979121
1200Vトレンチフィールドストップ逆導電性IGBTsにおけるアノード設計変化
Anode Design Variation in 1200-V Trench Field-stop Reverse-conducting IGBTs
著者 (3件):
VOSS S.
(Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
,
NIEDERNOSTHEIDE F.J.
(Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
,
SCHULZE H.J.
(Infineon Technol. AG, Neubiberg, DEU)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
20th
ページ:
169-172
発行年:
2008年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)