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文献
J-GLOBAL ID：200902226820820940
整理番号：04A0746217
Si上のSiO2超薄膜の厚さ測定に関する現状の批判的総括 V CCQMの先導研究結果
Critical review of the current status of thickness measurements for ultrathin SiO2 on Si Part V: Results of a CCQM pilot study
SEAH M P
(National Physical Lab., Middlesex, GBR)
,
BENSEBAA F
(National Res. Council of Canada, ON, CAN)
,
VICKRIDGE I
(Univ. Paris 6 et 7, Paris, FRA)
,
DANZEBRINK H
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Braunschweig, DEU)
,
KRUMREY M
(Physikalisch-Technische Bundesanstalt (PTB), Berlin-Charlottenburg, DEU)
,
GROSS T
(Bundesanstalt fuer Materialforsch. und -pruefung (BAM), Berlin, DEU)
,
WENDLER E
(Friedrich-Schiller-Univ. Jena, Jena, DEU)
,
RHEINLAENDER B
(Univ. Leipzig, Leipzig, DEU)
,
AZUMA Y
(AIST, Ibaraki, JPN)
資料名：
Surface and Interface Analysis
(Surface and Interface Analysis)
巻： 36 号： 9 ページ： 1269-1303 発行年： 2004年09月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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