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文献
J-GLOBAL ID：200902227069870755
整理番号：08A1224172
複合半導体Sc1-xGaxN合金の圧電係数を計算するための第一原理から導いた方法
A first-principles-derived method for computing the piezoelectric coefficients of complex semiconductor Sc1- x Ga x N alloys
ALSAAD A.
(Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan)
,
AHMAD A.
(Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan)
,
ALTA’ANI H.
(Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan)
,
ALSHYAB R.
(Dep. of Physical Sciences, Jordan Univ. of Sci. and Technol., P.O. Box 3030, Irbid 221100, Jordan)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 403 号： 23-24 ページ： 4174-4181 発行年： 2008年12月15日
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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