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文献
J-GLOBAL ID：200902227159201585
整理番号：09A0481028
ロバストなHfO2に基づくRRAMの薄いリアクティブTiバッファ層を持つ低電力で高速のバイポーラスイッチング
Low Power and High Speed Bipolar Switching with A Thin Reactive Ti Buffer Layer in Robust HfO2 Based RRAM
LEE H.Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE H.Y.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
CHEN P.S.
(MingShin Univ. Sci. & Technol., Hsinchu, TWN)
,
WU T.Y.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN Y.S.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
WANG C.C.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
TZENG P.J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIN C.H.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
CHEN F.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LIEN C.H.
(National Tsing Hua Univ., Hsinchu, TWN)
,
TSAI M.-J.
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2008 Vol.1 ページ： 297-300 発行年： 2008年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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