文献
J-GLOBAL ID:200902227172559316
整理番号:05A0891310
バイアスストレスを印加したほう素イオン注入InGaP/GaAsコレクタアップトンネルコレクタHBTのキャラクタリゼーションとモデリング
Characterization and Modeling of Bias-Stressed InGaP/GaAs Collector-Up Tunneling-Collector HBTs Fabricated With Boron-Ion Implantation
著者 (8件):
MOCHIZUKI Kazuhiro
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANAKA Ken-Ichi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
UCHIYAMA Hiroyuki
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
OHTA Hiroshi
(Hitachi ULSI Systems Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
TERANO Akihisa
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
KIKAWA Takeshi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TANIGUCHI Takafumi
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
,
MITA Reiko
(Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
52
号:
10
ページ:
2144-2149
発行年:
2005年10月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)