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文献
J-GLOBAL ID：200902227330587470
整理番号：06A0503446
InNのN型伝導度の起源:正に帯電した転位の役割
Origin of the n-type conductivity of InN: The role of positively charged dislocations
PIPER L. F. J.
(Dep. of Physics, Univ. of Warwick, Coventry, West Midlands CV4 7AL, GBR)
,
VEAL T. D.
(Dep. of Physics, Univ. of Warwick, Coventry, West Midlands CV4 7AL, GBR)
,
MCCONVILLE C. F.
(Dep. of Physics, Univ. of Warwick, Coventry, West Midlands CV4 7AL, GBR)
,
LU Hai
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853)
,
SCHAFF W. J.
(Dep. of Electrical and Computer Engineering, Cornell Univ., Ithaca, New York 14853)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 88 号： 25 ページ： 252109-252109-3 発行年： 2006年06月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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