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文献
J-GLOBAL ID：200902227446728101
整理番号：08A0818596
酸化けい素上でのゲルマニウムの横方向エピタキシャル成長
Lateral epitaxial growth of germanium on silicon oxide
CAMMILLERI V. D.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA)
,
YAM V.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA)
,
FOSSARD F.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA)
,
RENARD C.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA)
,
BOUCHIER D.
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS UMR 8622, Univ. Paris-Sud, Bat 220, 91405 Orsay, FRA)
,
FAZZINI P. F.
(CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
,
ORTOLANI L.
(CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
,
HOUDELLIER F.
(CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
,
HYETCH M.
(CEMES-CNRS, Univ. of Toulouse, 29, Rue Jeanne Marvig, 31055, Toulouse Cedex 4, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 4 ページ： 043110 発行年： 2008年07月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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