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文献
J-GLOBAL ID：200902227528615208
整理番号：09A0717590
高性能な屈曲性の有機電界効果トランジスタのデバイス移動度に及ぼす誘電率の影響
The effect of dielectric constant on device mobilities of high-performance, flexible organic field effect transistors
TAN H. S.
(School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
,
MATHEWS N.
(School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
,
CAHYADI T.
(School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
,
ZHU F. R.
(Inst. of Materials Res. and Engineering, 3 Res. Link, Singapore 117602, SGP)
,
MHAISALKAR S. G.
(School of Materials Sci. and Engineering, Nanyang Technological Univ., Singapore 639798, SGP)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 94 号： 26 ページ： 263303 発行年： 2009年06月29日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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