文献
J-GLOBAL ID:200902227708761954
整理番号:05A0052949
基板温度を変えてAl-N同時ドーピングにより作成したp型ZnO薄膜
P-type Zno thin films fabricated by Al-N co-doping method at different substrate temperature
著者 (6件):
YUAN G
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
YE Z
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
QIAN Q
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
ZHU L
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
HUANG J
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
,
ZHAO B
(Zhejiang Univ., Hangzhou, CHN)
資料名:
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻:
273
号:
3/4
ページ:
451-457
発行年:
2005年01月03日
JST資料番号:
B0942A
ISSN:
0022-0248
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)