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文献
J-GLOBAL ID：200902227730913369
整理番号：03A0549966
高誘電率酸化ランタン薄膜のMOCVD
MOCVD of High-Dielectric-Constant Lanthanum Oxide Thin Films
YAMADA H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SHIMIZU T
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
KUROKAWA A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
ISHII K
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
,
SUZUKI E
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻： 150 号： 8 ページ： G429-G435 発行年： 2003年08月
JST資料番号： C0285A ISSN： 1945-7111 CODEN： JESOAN 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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