文献
J-GLOBAL ID:200902227770071565
整理番号:05A0783732
歪Si MOSFETにおける発熱減少の証拠
Evidence of Reduced Self-Heating in Strained Si MOSFETs
著者 (5件):
NICHOLAS Gareth
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
GRASBY Tim J.
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
PARKER Evan H.C.
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
WHALL Terry E.
(Univ. Warwick, Coventry, GBR)
,
SKOTNICKI Thomas
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
26
号:
9
ページ:
684-686
発行年:
2005年09月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)