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文献
J-GLOBAL ID：200902227804234060
整理番号：05A0661550
Pd2Siフルシリサイドゲート形成プロセスと仕事関数変調
Fabrication Process and Work Function Tuning in Fully Silicided Pd2Si Gate
法沢公成
(広島大 ナノデバイス・システム研究セ)
,
佐野孝輔
(広島大 ナノデバイス・システム研究セ)
,
細井卓治
(広島大 ナノデバイス・システム研究セ)
,
芝原健太郎
(広島大 ナノデバイス・システム研究セ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 105 号： 109(SDM2005 70-86) ページ： 91-94 発行年： 2005年06月03日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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