文献
J-GLOBAL ID:200902227885346347
整理番号:05A0540308
超薄ゲート酸化物のポストブレークダウン特性におよぼす素子寸法の効果
The Effects of Device Dimensions on the Post-Breakdown Characteristics of Ultrathin Gate Oxides
著者 (2件):
WU Ernest Y
(IBM Microelectronics Div., VT, USA)
,
SUNE Jordi
(Univ. Autonoma de Barcelona, Bellaterra, ESP)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
26
号:
6
ページ:
401-403
発行年:
2005年06月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)