文献
J-GLOBAL ID:200902227960214435
整理番号:05A0214860
伝導原子間力顕微鏡法により特性評価したSi(111)上の長薄膜SiO2中の不均一性
Nonuniformity in Ultrathin SiO2 on Si(111) Characterized by Conductive Atomic Force Microscopy
著者 (4件):
HASUNUMA R
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
OKAMOTO J
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
TOKUDA N
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
,
YAMABE K
(Univ. Tsukuba, Ibaraki, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
43
号:
11B
ページ:
7861-7865
発行年:
2004年11月30日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)