文献
J-GLOBAL ID:200902227982606922
整理番号:05A0488926
ゲルマニウム基板上に成長させたAlInGaP LEDの効率と信頼性
Efficiency and Reliability of AlInGaP LEDs grown on Germanium substrates
著者 (5件):
ALTIERI P.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
JAEGER A.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
STAUSS P.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
PIETZONKA T.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
,
STREUBEL K.
(OSRAM Opto Semiconductors, Regensburg, DEU)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
5739
ページ:
93-101
発行年:
2005年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)