文献
J-GLOBAL ID:200902228115976411
整理番号:05A0991431
高温におけるSi(001)表面上Ga原子の挙動
Behavior of Ga atoms on Si(001) surface at high temperature
著者 (6件):
HARA Shinsuke
(Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
,
IROKAWA Katsumi
(Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
,
MIKI Hirofumi
(Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
,
KAWAZU Akira
(Dep. of Physics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
,
TORII Hitoshi
(Dep. of Applied Electronics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
,
FUJISHIRO Hiroki I.
(Dep. of Applied Electronics, Tokyo Univ. of Sci., Noda, Chiba 278-8510, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
98
号:
8
ページ:
083513-083513-7
発行年:
2005年10月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)