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文献
J-GLOBAL ID：200902228135787607
整理番号：06A0421296
単結晶シリコン太陽電池表面上における窒化シリコン薄膜の強い表面放電による選択エッチング
Selective Etching of Silicon Nitride Film on Single Crystalline Silicon Solar Cell Using Intensive Surface Discharge
SAKODA Tatsuya
(Sojo Univ., Kumamoto, JPN)
,
HAMADA Toshiyuki
(Sojo Univ., Kumamoto, JPN)
,
MATSUKUMA Kunihiro
(Sojo Univ., Kumamoto, JPN)
,
HERAI Hiroki
(M. SETEK Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
MATSUI Kazuo
(M. SETEK Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
NAGASAWA Kazuo
(M. SETEK Co., Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 5A ページ： 3992-3993 発行年： 2006年05月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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