文献
J-GLOBAL ID:200902228353478527
整理番号:03A0140245
低い基板温度のスパッタ蒸着によるCr2O3テンプレート上のα-Al2O3薄膜の局所的エピタキシャル成長
Localized epitaxial growth of α-Al2O3 thin films on Cr2O3 template by sputter deposition at low substrate temperature.
著者 (4件):
JIN P
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
NAKAO S
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Nagoya, JPN)
,
WANG S X
(Univ. Michigan, Michigan)
,
WANG L M
(Univ. Michigan, Michigan)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
82
号:
7
ページ:
1024-1026
発行年:
2003年02月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)