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文献
J-GLOBAL ID：200902228526811162
整理番号：07A0724365
LaAlO/Si基板界面への1原子層SrSi2挿入による界面電気特性改善効果の実証
Improvement of the electrical properties of La aluminates/Si (100) interface by insertion of one monolayer epitaxial SrSi2
高島章
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
西川幸江
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
清水達雄
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
鈴木正道
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
松下大介
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
吉木昌彦
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
富田充裕
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
山口豪
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
小山正人
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
,
福島伸
(東芝 研究開発セ LSI基盤技術ラボラトリー)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 107 号： 85(SDM2007 31-51) ページ： 65-70 発行年： 2007年05月31日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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