文献
J-GLOBAL ID:200902228739896552
整理番号:03A0853698
ラジカル酸化によるPoly-Si TFTの高性能化に関する研究
High Performance Poly-Si TFT with Thin Gate Oxide Film Grown by Oxygen Radical (O*)
著者 (7件):
石井克治
(東北大 大学院工学研究科)
,
今泉文伸
(東北大 未来科学技術共同研セ)
,
林朋彦
(東北大 未来科学技術共同研セ)
,
寺本章伸
(東北大 未来科学技術共同研セ)
,
平山昌樹
(東北大 未来科学技術共同研セ)
,
須川成利
(東北大 大学院工学研究科)
,
大見忠弘
(東北大 未来科学技術共同研セ)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
103
号:
373(SDM2003 161-168)
ページ:
9-12
発行年:
2003年10月20日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)