文献
J-GLOBAL ID:200902228788139902
整理番号:03A0140276
高周波マグネトロンスパッタリングにより作製した透明ZnO薄膜トランジスタ
Transparent ZnO thin-film transistor fabricated by rf magnetron sputtering.
著者 (4件):
CARCIA P F
(DuPont Res. and Dev., Delaware)
,
MCLEAN R S
(DuPont Res. and Dev., Delaware)
,
REILLY M H
(DuPont Res. and Dev., Delaware)
,
NUNES G JR
(DuPont Res. and Dev., Delaware)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
82
号:
7
ページ:
1117-1119
発行年:
2003年02月17日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)