文献
J-GLOBAL ID:200902228800588793
整理番号:05A0828310
原子層蒸着で成長したTiO2薄膜の抵抗スイッチング機構
Resistive switching mechanism of TiO2 thin films grown by atomic-layer deposition
著者 (14件):
CHOI B. J.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
JEONG D. S.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM S. K.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
ROHDE C.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
ROHDE C.
(Forschungszentrum, Juelich, DEU)
,
CHOI S.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
OH J. H.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
KIM H. J.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
HWANG C. S.
(Seoul National Univ., Seoul, KOR)
,
SZOT K.
(Forschungszentrum, Juelich, DEU)
,
WASER R.
(Forschungszentrum, Juelich, DEU)
,
REICHENBERG B.
(Forschungszentrum, Juelich, DEU)
,
REICHENBERG B.
(Aixacct Gesellschaft mit Beschraenkter Haftung (GMBH), Aachen, DEU)
,
TIEDKE S.
(Aixacct Gesellschaft mit Beschraenkter Haftung (GMBH), Aachen, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
98
号:
3
ページ:
033715.1-033715.10
発行年:
2005年08月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)