文献
J-GLOBAL ID:200902228885493842
整理番号:04A0212198
局所化電荷捕獲不揮発性メモリデバイスによるチャネルホットエレクトロン注入の研究
Investigation of Channel Hot Electron Injection by Localized Charge-Trapping nonvolatile Memory Devices
著者 (6件):
LUSKY E
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
,
SHACHAM-DIAMAND Y
(Tel-Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
MITENBERG G
(Tel-Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
SHAPPIR A
(Tel-Aviv Univ., Ramat Aviv, ISR)
,
BLOOM I
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
,
EITAN B
(Saifun Semiconductors Ltd., Netanya, ISR)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
51
号:
3
ページ:
444-451
発行年:
2004年03月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)