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文献
J-GLOBAL ID:200902229151124320   整理番号:07A0255385

ラジカル窒素法による窒化けい素薄膜の成長とエネルギーバンドギャップの形成

Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation
著者 (6件):
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
KAWAAI Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
SAKAI Akira
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
YASUDA Yukio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)

資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)

巻: 46  号:ページ: 71-75  発行年: 2007年01月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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