文献
J-GLOBAL ID:200902229151124320
整理番号:07A0255385
ラジカル窒素法による窒化けい素薄膜の成長とエネルギーバンドギャップの形成
Growth and Energy Bandgap Formation of Silicon Nitride Films in Radical Nitridation
著者 (6件):
KONDO Hiroki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
KAWAAI Keigo
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
SAKAI Akira
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
HORI Masaru
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
ZAIMA Shigeaki
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YASUDA Yukio
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
46
号:
1
ページ:
71-75
発行年:
2007年01月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)