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J-GLOBAL ID：200902229158988967 整理番号：08A0745423

金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks

著者 (7件)：

渡部平司

(大阪大大学院工学研究科)

喜多祐起

(大阪大大学院工学研究科)

細井卓治

(大阪大大学院工学研究科)

志村考功

(大阪大大学院工学研究科)

白石賢二

(筑波大大学院数理物質科学研究科)

奈良安雄

(半導体先端テクノロジーズ)

山田啓作

(早稲田大ナノテクノロジー研)

資料名：

半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集 (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)

巻： 72nd ページ： 73-76 発行年： 2008年07月10日
JST資料番号： F0108B 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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