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文献
J-GLOBAL ID:200902229158988967   整理番号:08A0745423

金属電極とHf系高誘電率絶縁膜界面の実効仕事関数変調機構

Mechanisms of Effective Work Function Modulation of Metal/Hf-based High-k Gate Stacks
著者 (7件):
渡部平司
(大阪大 大学院工学研究科)
喜多祐起
(大阪大 大学院工学研究科)
細井卓治
(大阪大 大学院工学研究科)
志村考功
(大阪大 大学院工学研究科)
白石賢二
(筑波大 大学院数理物質科学研究科)
奈良安雄
(半導体先端テクノロジーズ)
山田啓作
(早稲田大 ナノテクノロジー研)

資料名:
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集  (Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)

巻: 72nd  ページ: 73-76  発行年: 2008年07月10日 
JST資料番号: F0108B  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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