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文献
J-GLOBAL ID：200902229247408737
整理番号：07A1233196
SiO2エッチングプロセス中における高アスペクト比コンタクトホールにおける電荷蓄積及び側壁伝導率のオンウエハモニタリング
On-wafer monitoring of charge accumulation and sidewall conductivity in high-aspect-ratio contact holes during SiO2 etching process
JINNAI Butsurin
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
ORITA Toshiyuki
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
KONISHI Mamoru
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
HASHIMOTO Jun
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
ICHIHASHI Yoshinari
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
NISHITANI Akito
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
KADOMURA Shingo
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center (STARC), 17-2 Shin Yokohama, 3-chome, Kohoku-ku, Yokohama 222-0033, JPN)
,
OHTAKE Hiroto
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 25 号： 6 ページ： 1808 発行年： 2007年11月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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