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文献
J-GLOBAL ID：200902229255528148
整理番号：06A0320881
擬MOSFETのためのSiカンチレバー上のカーボンマルチプローブ
Carbon Multiprobe on a Si Cantilever for Pseudo-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor
NAGASE Masao
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
NAKAMATSU Kenichiro
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
NAKAMATSU Kenichiro
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
MATSUI Shinji
(Univ. Hyogo, Hyogo, JPN)
,
MATSUI Shinji
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
NAMATSU Hideo
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
,
YAMAGUCHI Hiroshi
(NTT Corp., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45 号： 3B ページ： 2009-2013 発行年： 2006年03月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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