文献
J-GLOBAL ID:200902229258472372
整理番号:08A0761652
気体浸漬レーザドーピングによって合成した仮像SiGe/Si(001)層
Pseudomorphic SiGe/Si(001) layers synthesized by gas immersion laser doping
著者 (8件):
FOSSARD Frederic
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
,
BOULMER Jacques
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
,
DEBARRE Dominique
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
,
PERROSSIER Jean-luc
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
,
BACHELET Cyril
(Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA)
,
FORTUNA Franck
(Centre de Spectroscopie Nucleaire et de Spectroscopie de Masse, IN2P3-CNRS, Orsay F-91405, FRA)
,
MATHET Veronique
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
,
BOUCHIER Daniel
(Inst. d’Electronique Fondamentale, CNRS, UMR 8622, Orsay F-91405, FRA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
93
号:
2
ページ:
021911
発行年:
2008年07月14日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)