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文献
J-GLOBAL ID：200902229345034900
整理番号：06A0609565
格子整合したヘテロ構造型AlInN/GaNを基本とする高電子移動度電界効果トランジスタ
High electron mobility lattice-matched AlInN/GaN field-effect transistor heterostructures
GONSCHOREK M.
(Inst. of Quantum Electronics and Photonics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
,
CARLIN J.-f.
(Inst. of Quantum Electronics and Photonics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
,
FELTIN E.
(Inst. of Quantum Electronics and Photonics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
,
PY M. A.
(Inst. of Quantum Electronics and Photonics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
,
GRANDJEAN N.
(Inst. of Quantum Electronics and Photonics, Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, CHE)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 89 号： 6 ページ： 062106-062106-3 発行年： 2006年08月07日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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