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文献
J-GLOBAL ID：200902229371152210
整理番号：04A0587168
ポリSi/Hfベースのhigh-k酸化物界面におけるFermiレベルピンニングの物理
Physics in Fermi Level Pinning at the PolySi/Hf-based High-k Oxide Interface
SHIRAISHI K
(Univ. Tsukuba, Tsukuba, JPN)
,
YAMADA K
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TORII K
(Semiconductor Leading Edge Technol. Inc., Tsukuba, JPN)
,
AKASAKA Y
(Semiconductor Leading Edge Technol. Inc., Tsukuba, JPN)
,
NAKAJIMA K
(National Res. Inst. Material Sci., Tsukuba, JPN)
,
KOHNO M
(Hitachi Sci. Systems, Ltd., Hitachi-Naka, JPN)
,
CHIKYO T
(National Res. Inst. Material Sci., Tsukuba, JPN)
,
KITAJIMA H
(Semiconductor Leading Edge Technol. Inc., Tsukuba, JPN)
,
ARIKADO T
(Semiconductor Leading Edge Technol. Inc., Tsukuba, JPN)
資料名：
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻： 2004 ページ： 108-109 発行年： 2004年
JST資料番号： A0035B ISSN： 0743-1562 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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