文献
J-GLOBAL ID:200902229399116383
整理番号:06A0269324
Si(001)基板上の有機金属蒸気位相エピタクシ成長InGaN/GaN発光ダイオード
Metalorganic vapor phase epitaxy grown InGaN/GaN light-emitting diodes on Si(001) substrate
著者 (5件):
SCHULZE F.
(Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
,
DADGAR A.
(Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
,
BLAESING J.
(Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
,
DIEZ A.
(Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
,
KROST A.
(Otto-von-Guericke-Universitaet Magdeburg, Inst. fuer Experimentelle Physik, Fakultaet fuer Naturwissenschaften ...)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
12
ページ:
121114-121114-3
発行年:
2006年03月20日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)