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文献
J-GLOBAL ID：200902229629755992
整理番号：06A0269108
SiC基板上のマイクロパイプがAlGaN/GaN HEMTデバイス特性に与える影響
BANG H.
(産業技術総合研)
,
佐沢洋幸
(新機能素子研究開発協)
,
三谷武志
(産業技術総合研)
,
中島信一
(産業技術総合研)
,
平田宏治
(新機能素子研究開発協)
,
小崎正芳
(新機能素子研究開発協)
,
柴田直樹
(新機能素子研究開発協)
,
奥村元
(産業技術総合研)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 53rd 号： 3 ページ： 1500 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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