文献
J-GLOBAL ID:200902229675685753
整理番号:03A0509385
負バイアス温度不安定性 深サブミクロンシリコン半導体製造における越えるべき道程
Negative bias temperature instability: Road to cross in deep submicron silicon semiconductor manufacturing
著者 (2件):
SCHRODER D K
(Arizona State Univ., Arizona)
,
BABCOCK J A
(PDF Solutions, Inc., Texas)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
94
号:
1
ページ:
1-18
発行年:
2003年07月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
文献レビュー
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)