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文献
J-GLOBAL ID：200902229707808283
整理番号：05A0649679
Buffer層を中心としたエピタキシーの新展開 極性構造から見たGaN薄膜成長におけるサファイア基板上低温バッファ層の機能
Novel Approach to Epitaxial Growth with Buffer Layers Another Function of Low-temperature Buffer Layer on Sapphire Substrate for Growth of GaN Film from the Viewpoint of the Polarity
角谷正友
(静岡大 工)
,
角谷正友
(JST-CREST)
,
福家俊郎
(静岡大 工)
資料名：
日本結晶成長学会誌
(Journal of the Japanese Association of Crystal Growth)
巻： 32 号： 2 ページ： 66-73 発行年： 2005年06月30日
JST資料番号： F0452B ISSN： 0385-6275 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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