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J-GLOBAL ID：200902229990184673 整理番号：06A0951335

成長中に水蒸気導入を用いたCu(In,Ga)Se₂の薄膜特性の制御

Control of the thin film properties of Cu(In,Ga)Se2 using water vapor introduction during growth

著者 (9件)：

ISHIZUKA Shogo

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

SHIBATA Hajime

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

YAMADA Akimasa

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

FONS Paul

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

SAKURAI Keiichiro

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

MATSUBARA Koji

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

NIKI Shigeru

(National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, JPN)

,

YONEMURA Minoru

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

,

NAKANISHI Hisayuki

(Tokyo Univ. of Sci., 2641 Yamazaki, Noda, Chiba 278-8510, JPN)

資料名：

Journal of Applied Physics (Journal of Applied Physics)

巻： 100 号： 9 ページ： 096106-096106-3 発行年： 2006年11月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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