前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902230079271311
整理番号：07A0689718
hp65SOC LOP応用のためのデュアルコア酸窒化シリコン(SiON)技術を活用した酸素過剰の界面(OI-SiN)を有する(SiN)ゲート誘電体
SiN Gate Dielectric with Oxygen-enriched Interface (OI-SiN) Utilizing Dual-core-SiON Technique for hp65-SoC LOP Application
TSUJIKAWA Shimpei
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
UMEDA Hiroshi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
HAYASHI Takashi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
OHNISHI Kazuhiro
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
SHIGA Katsuya
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
KAWASE Kazumasa
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YUGAMI Jiro
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
YOSHIMURA Hidefumi
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
,
YONEDA Masahiro
(Renesas Technol. Corp., Hyogo, JPN)
資料名：
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2006 Vol.2 ページ： 918-921 発行年： 2006年
JST資料番号： C0829B ISSN： 0163-1918 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。