文献
J-GLOBAL ID:200902230116684125
整理番号:03A0656863
空乏層拡張トランジスタ(DET)を持つスタックトランジスタ配置の電圧分割効果により実現した21.5dBm電力操作5GHz送信/受信CMOSスイッチ
21.5dBm Power-Handling 5GHz Transmit/Receive CMOS Switch Realized by Voltage Division Effect of Stacked Transistor Configuration with Depletion-Layer-Extended Transistors(DETs).
著者 (8件):
OHNAKADO T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAMAKAWA S
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
MURAKAMI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
FURUKAWA A
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
TANIGUCHI E
(Mitsubishi Electric Corp., Kanagawa, JPN)
,
UEDA H
(Mitsubishi Electric Corp., Kanagawa, JPN)
,
SUEMATSU N
(Mitsubishi Electric Corp., Kanagawa, JPN)
,
OOMORI T
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻:
2003
ページ:
25-28
発行年:
2003年
JST資料番号:
W0767A
ISSN:
2158-5601
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)