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文献
J-GLOBAL ID：200902230121454545
整理番号：05A0450508
分子線エピタクシーによるN極性GaN上へのInN量子ドットの成長
Growth of InN quantum dots on N-polarity GaN by molecular-beam epitaxy
YOSHIKAWA A.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
HASHIMOTO N.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
KIKUKAWA N.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
CHE S. B.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
,
ISHITANI Y.
(Chiba Univ., Chiba, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 86 号： 15 ページ： 153115.1-153115.3 発行年： 2005年04月11日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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