文献
J-GLOBAL ID:200902230353222365
整理番号:04A0382401
r-面サファイア上のa-面GaN-InGaN多重量子井戸を用いた可視発光ダイオード
Visible light-emitting diodes using a-plane GaN-InGaN multiple quantum wells over r-plane sapphire
著者 (8件):
CHITNIS A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
CHEN C
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
ADIVARAHAN V
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
SHATALOV M
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KUOKSTIS E
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
MANDAVILLI V
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
YANG J
(Univ. South Carolina, South Carolina)
,
KHAN M A
(Univ. South Carolina, South Carolina)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
84
号:
18
ページ:
3663-3665
発行年:
2004年05月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)