文献
J-GLOBAL ID:200902230390138730
整理番号:09A0165070
450nmのInGaN発光ダイオード構造における電子溢れの測定
Measurement of electron overflow in 450 nm InGaN light-emitting diode structures
著者 (5件):
VAMPOLA Kenneth J.
(Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
,
IZA Michael
(Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
,
KELLER Stacia
(Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
,
DENBAARS Steven P.
(Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
,
NAKAMURA Shuji
(Solid State Lighting and Energy Center, Univ. of California, Santa Barbara Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
94
号:
6
ページ:
061116
発行年:
2009年02月09日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)