文献
J-GLOBAL ID:200902230392930008
整理番号:04A0138150
TaNゲート電極による酸窒化ハフニウムゲート誘電体の電気的材料的特性化
The Electrical and Material Characterization of Hafnium Oxynitride Gate Dielectrics With TaN-Gate Electrode
著者 (9件):
KANG C S
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHO H-J
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHOI R
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
KIM Y-H
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
KANG C Y
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
RHEE S J
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
CHOI C
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
AKBAR M S
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
,
LEE J C
(Univ. Texas at Austin, TX, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
51
号:
2
ページ:
220-227
発行年:
2004年02月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)