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文献
J-GLOBAL ID：200902230419799910
整理番号：06A0716292
ラテラルソース/ドレイン接合制御により作成したサブ10nmプラナバルクCMOSデバイスの特性化とモデリング
Characteristics and Modeling of Sub-10-nm Planar Bulk CMOS Devices Fabricated by Lateral Source/Drain Junction Control
WAKABAYASHI Hitoshi
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
EZAKI Tatsuya
(NEC Corp.)
,
EZAKI Tatsuya
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
SAKAMOTO Toshitsugu
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
KAWAURA Hisao
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
IKARASHI Nobuyuki
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
IKEZAWA Nobuyuki
(NEC Electronics Corp., Kanagawa, JPN)
,
NARIHIRO Mitsuru
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
OCHIAI Yukinori
(Hiroshima Univ., Higashi-Hiroshima, JPN)
,
OCHIAI Yukinori
(Japan Sci. and Technol. Agency, Saitama, JPN)
,
IKEZAWA Takeo
(NEC Informatec Systems, Ltd., Tokyo, JPN)
,
TAKEUCHI Kiyoshi
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
YAMAMOTO Toyoji
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
HANE Masami
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
,
MOGAMI Tohru
(NEC Corp., Sagamihara, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 9 ページ： 1961-1970 発行年： 2006年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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